檢索結果：共14筆資料 檢索策略： "GaN".ekeyword (精準) and cdept.raw="材料科學與工程系"
個人化服務 ：
排序：
每頁筆數：
已勾選0筆資料
1
本研究成功的以RF反應式濺鍍法來製備III族氮化物薄膜，如GaN與InGaN等薄膜，濺鍍所需要的靶材則是將不同比例的金屬In、Ga與GaN陶瓷粉末混合後熱壓而成的陶金靶，靶材中的Ga含量需小於GaN…
2
氮化鎵高電子遷移率電晶體(GaN HEMTs)在高功率操作下，傳統金屬電極與元件結構層間之電致遷移現象變得更為嚴重，電致遷移現象除了使電晶體源極與汲極之歐姆接觸電阻上升；也導致閘極產生漏電路徑，使電…
3
氮化鎵於矽基板上成長時，因晶格不匹配與熱膨脹係數差異引入應力，造成高密度差排缺陷，降低氮化鎵HEMT元件工作效能。本研究提出以石墨烯做為磊晶界面層，提升氮化鎵磊晶品質之方法。石墨烯是二維材料，垂直膜…
4
本論文以RF反應式濺鍍法製備施體-受體共摻雜n型或p型的ZnSnGaN薄膜，並探討不同摻雜比例、濺鍍功率與沉積溫度對於薄膜品質、電性及光學性質之影響。於本實驗中我們利用EDS、SEM、AFM、XRD…
5
6
本篇論文呈現了氮化鋁緩衝層結構之於石墨烯/藍寶石基板上製備高品質氮化鎵薄膜的重要性。本文使用低壓化學氣相沉積法（LPCVD）在在藍寶石基板上成長石墨烯。首先會在兩吋藍寶石基板上蒸鍍一層銅膜以便於獲取…
7
氮化鎵為第三代高功率半導體熱門材料，在高功率動作下，元件將被施加更高偏壓，因此，如何提升氮化鎵薄膜材料品質以及提升薄膜電阻率攸關元件能否操作在更高功率。本研究針對上述問題提出使用石墨烯介面層結構，降…
8
氮化鎵具備優異的電性表現已成為第三代寬能隙半導體熱門材料，由AlGaN/GaN異質結構形成之高電子遷移率電晶體已廣泛運用在手機快充與電動車電控系統。本實驗將針對氮化鎵成長在藍寶石基板上，面臨的兩大瓶…
9
The nitride-based material had excellent properties such as high thermal conductivity, high electro…
10
這項研究研究了通過嵌入複合氮化鋁緩衝層（AlN BL），可以在少層石墨烯（FLG）/藍寶石基板上生長高質量GaN薄膜。複合氮化鋁緩衝層分別通過濺鍍和金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）生長的低溫AlN…